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IPB16CNE8N G中文资料OptiMOS®2 Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB16CNE8N G

功能描述

OptiMOS®2 Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:30:00

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技术参数

  • 型号:

    IPB16CNE8N G

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineo
24+
TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
14000
只做原装正品
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TO-263
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
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TO-263
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
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D2PAK(TO-263)
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INFINEON/英飞凌
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TO-263
60100
郑重承诺只做原装进口现货
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INFINEON/英飞凌
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TO-263
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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23+
TO-252
6000
原装正品,支持实单
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INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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