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IPB147N03LGATMA1中文资料MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB147N03LGATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：14.7 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：10nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1000pF @ 15V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：31W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
0247+ |
TO263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
UTG |
23+ |
SOT-263 |
9059999 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INF |
24+ |
TO-263 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK(TO-263AB) |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
12+ |
P-TO263 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 |
