| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>IPB26CN10NG>芯片详情
IPB26CN10NG_INFINEON/英飞凌_OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated亚泰盈科
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:IPB26CN10NG
- 生产厂家
:英飞凌
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:35A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:26 毫欧 @ 35A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:4V @ 39µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:31nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:2070pF @ 50V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:71W(Tc)
- 工作温度
:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:D²PAK(TO-263AB)
- 封装/外壳
:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商
相近型号
- IPB240N04S41R0ATMA1
- IPB330P10NM
- IPB240N04S4-1R0
- IPB330P10NMATMA1
- IPB240N04S3L-R9
- IPB34CN10NG
- IPB240N04S3L-R8
- IPB35N10S3L-26
- IPB240N03S4LR9ATMA1
- IPB35N10S3L26ATMA1
- IPB240N03S4L-R9
- IPB407N30N
- IPB240N03S4LR8ATMA1
- IPB45N04S4L-08
- IPB240N03S4L-R8
- IPB45N04S4L08ATMA1
- IPB230N06L3GATMA1
- IPB45N06S3-16
- IPB230N06L3G
- IPB45N06S3L-13
- IPB22N03S4L-15ATMA1
- IPB45N06S4-09
- IPB22N03S4L-15
- IPB45N06S409ATMA2
- IPB200N25N3GATMA1
- IPB45N06S4L-08
- IPB200N25N3G
- IPB45N06S4L08ATMA3
- IPB200N25N3
- IPB45P03P4L-11
- IPB200N15N3GATMA1
- IPB45P03P4L11ATMA1
- IPB200N15N3G
- IPB45P03P4L11ATMA2
- IPB200N15N3
- IPB47N10S-33
- IPB19DP10NMATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- IPB19DP10NM
- IPB47N10SL-26
- IPB180P04P4L02ATMA2
- IPB47N10SL26ATMA1
- IPB180P04P4L02ATMA1
- IPB50CN10NG
- IPB180P04P4L-02
- IPB50N10S3L-16
- IPB180P04P403ATMA2
- IPB50N10S3L16ATMA1
- IPB180P04P4-03
- IPB180P04P403



