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IPB027N10N3	文件：536.65 Kbytes Page：9 Pages	3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB027N10N3	文件：244.19 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB027N10N3G	文件：220.16 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB027N10N3GATMA1	文件：536.65 Kbytes Page：9 Pages	3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB027N10N5	文件：1.00806 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS짧 5 Power-Transistor, 100 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB027N10N5	文件：1.1911 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB027N10N5	文件：244.28 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB027N10N5_16	文件：1.00806 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS짧 5 Power-Transistor, 100 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
NVMFS027N10MCL	文件：152.11 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel100V,26m,28A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •NVMFWS027N10MCL−WettableFlankProducts •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS027N10MCL	文件：226.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,26m,28A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS027N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS027N10MCLTAG	文件：226.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,26m,28A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS027N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS027N10MCLTAG	文件：226.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,26m,28A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS027N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IPB027N10N
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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