N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switch

文件：284.29 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die

HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • Dynamic dv/dt Rating • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitan

文件：84.32 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

VDSS = 100 V ID25 = 165 A RDS(on)= 8 m
Ω trr ≤ 250 ns Single MOSFET Die Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Low drain to tab capacitance(

文件：33.22 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯

N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 5.5 mΩ ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCE ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED VOLTAGE SPREAD INDUSTRIAL APPLICATIONS: ■ SMPS & UPS ■ MOTOR CONTROL ■ WELDING EQUIPMENT ■ OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONIC CIRCUITS

文件：85.1 Kbytes 页数：8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体