SI7489DP-T1-GE3 P沟道场效应开关管-原装进口正品-宗天技术
SI7489DP-T1-GE3 ,制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 28 A Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极