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SI2319DDS-T1-GE3

2026-10-24 15:08:00
  • 进口代理

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 3.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 12.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 10 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 8 mg