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FDD18N20LZ N沟道 电源MOS场效应管 200V/16A贴片 全新原装

2024-3-6 15:18:00
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 FDD18N20LZ N沟道 电源MOS场效应管 200V/16A贴片 全新原装

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 16 A

Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 40 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 89 W

通道模式: Enhancement

商标名: UniFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

系列: FDD18N20LZ

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg