LM339AN
LM339AN，制造商: Texas Instruments 产品种类: 模拟比较器 RoHS: 详细信息 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: PDIP-14 通道数量: 4 Channel 输出类型: Open Collector 响应时间: 1.3 us 比较器类型: Differential 电源电压-最小: 2 V 电源电压-最大: 30 V 工作电源电流: 500 uA 每个通道的输出电流: 6 mA Vos - 输入偏置
AD8617ARZ 全新正品当天发货
AD8617ARZ,运算放大器,全新正品当天发货或门市自提.，AD8617ARZ,运算放大器,全新正品当天发货或门市自提. 型号： AD8617ARZ 品牌： ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特) 封装： SOIC-8 BQ21040DBVR 电池管理 型号： BQ21040DBVR 品牌： TI(德州仪器) 封装： SOT-23-6 BQ21040 bq21040 诚信经营，合作共赢，优势出以下物料: CHIP ZIGBEE PC13191FC CHIP ZIGBEE
ADUM1200ARZ-RL7 全新正品当天发货
ADUM1200ARZ-RL7,双通道数字隔离器,全新正品当天发货或门市自提.，ADUM1200ARZ-RL7,双通道数字隔离器,全新正品当天发货或门市自提. 数字隔离器 隔离技术 磁隔离 通道数 2 正向通道数 2 反向通道数 0 是否带电压隔离 不带电压隔离 隔离电压(Viso) 2500Vrms 数据速率 1Mbps 电源电压(Vdd) 2.7V~5.5V 技术：磁耦合 类型：通用 隔离式电源：无 通道数：2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2：2/0 通
FF200R12KT4 全新正品当天发货
FF200R12KT4,IGBT模块 1.1kW 1.2kV 320A,全新正品当天发货或门市自提.，FF200R12KT4,IGBT模块 1.1kW 1.2kV 320A,全新正品当天发货或门市自提. IGBT模块 功率(Pd) 1.1kW 集射极击穿电压(Vces) 1.2kV 集电极电流(Ic) 320A 集电极脉冲电流(Icm) 400A 集电极截止电流(Ices@Vce) 5mA@1.2kV 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.75V@200A,15V
93LC56BT-E/MNY 全新正品当天发货
93LC56BT-E/MNY,2Kb Microwire（3线）串行EEPROM,全新正品当天发货或门市自提.，93LC56BT-E/MNY,全新正品当天发货或门市自提. Microchip 93LC56B是一个2Kb Microwire（3线）串行EEPROM，具有专用的16位存储器结构，电压工作范围为2.5-5.5V。还可提供93LC56A用于专用8位存储器组织，93LC56C用于使用ORG引脚的硬件可选字大小。93LC56B针对消费者、工业和汽车应用进行了优化，其中可靠可靠的非易失性存储器存储至关
BT121-A-V2-IAP
进口代理，制造商: Silicon Laboratories 产品种类: 蓝牙模块 - 802.15.1 RoHS: 详细信息 系列: BT121 协议: Bluetooth 4.1 类: Bluetooth Low Energy (BLE) 接口类型: GPIO, I2C, SPI, UART 输出功率: 12 dBm 数据速率: 3 Mb/s 接收器灵敏度: - 96 dBm 频率: 2.44 GHz 电源电压-最小: 2.2 V 电源电压-最大: 3
DMTH4M70SPGWQ-13
进口代理，制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 460 A Rds On-漏源导通电阻: 460 uOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Qg-栅极电荷: 117.1 nC 最小工作温度
NVMTS0D6N04CTXG
进口代理，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Power88-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 533 A Rds On-漏源导通电阻: 480 uOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 187 nC
FDWS86068-F085
进口代理，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 43 nC 最小工作温
上新东莞仓39-01-2045 原装料号一件起售！
上新东莞仓39-01-2045 原装料号一件起售！，7-1452668-3 TE 53,989 端子 ST730497-3 KET 53,779 端子 STO-01T-110N JST 53,750 端子 51047-0200 MOLEX 52,906 外壳 STO-61T-250N JST 52,437 端子 502351-1200 MOLEX 52,289 外壳 173681-1 TE 52,010 端子 1670146-3 TE 52,000 端子 178210-1 TE 51,49
我司仓库（东莞 德州 青岛）入库新料明细单 原装现货当天发出！
我司仓库（东莞 德州 青岛）入库新料明细单 原装现货当天发出！，1-968946-1 TE 47,900 端子 63458-1 TE 47,900 端子 LBSS138LT1G LRC 47,688 场效应管 BAV70LT1G ON SEMICONDUCTOR 47,460 二极管 174047-2 TE 47,421 外壳 8230-4492 SUMITOMO 47,320 端子 7-1452656-1 TE 47,197 端子 SVT-41T-P1.1 JST 47,090 端子 C
今日特惠型号明细单 原装现货一件起售欢迎询价！
今日特惠型号明细单 原装现货一件起售欢迎询价！，1-968946-1 TE 47,900 端子 63458-1 TE 47,900 端子 LBSS138LT1G LRC 47,688 场效应管 BAV70LT1G ON SEMICONDUCTOR 47,460 二极管 174047-2 TE 47,421 外壳 8230-4492 SUMITOMO 47,320 端子 7-1452656-1 TE 47,197 端子 SVT-41T-P1.1 JST 47,090 端子 C0805C104
东莞仓库上新ST730557-1端子 支持BOM 配单 价格优惠多多！
东莞仓库上新ST730557-1端子 支持BOM 配单 价格优惠多多！，CGA2B3X7R1H103KT0Y0F TDK 42,887 电容器 43645-0200 MOLEX 42,873 外壳 163301-6 TE 42,602 端子 SIN-01T-1.8 JST 42,495 端子 64325-1010 MOLEX 42,488 盲堵 10762803 DELPHI 42,157 端子 SM04B-SRSS-TB JST 42,145 插头插座 1500-0106 SUMITOMO
TAJA106K016RNJ 10 µF 模制 钽电容器 16 V 1206（3216 公制） 3 欧姆
TAJA106K016RNJ，电容 10 µF 容差 ±10%_电压 - 额定 16 V 类型 模制 ESR（等效串联电阻） 3 欧姆 工作温度 -55°C ~ 125°C 不同温度时使用寿命 - 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 1206（3216 公制） 大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值） 0.071"（1.80mm） 引线间距 - 制造商尺寸代码 A 特性 通用
T491A106M010AT 10 µF 模制 钽电容器 10 V 1206（3216 公制） 3.8 欧姆
T491A106M010AT，电容 10 µF 容差 ±20%_电压 - 额定 10 V 类型 模制 ESR（等效串联电阻） 3.8 欧姆 工作温度 -55°C ~ 125°C 不同温度时使用寿命 125°C 时为 2000 小时 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 1206（3216 公制） 大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值） 0.071"（1.80mm） 引线间距 - 制造商尺寸
TAJA225K016RNJ 2.2 µF 模制 钽电容器 16 V 1206（3216 公制） 6.5 欧姆
TAJA225K016RNJ，电容 2.2 µF 容差 ±10%_电压 - 额定 16 V 类型 模制 ESR（等效串联电阻） 6.5 欧姆 工作温度 -55°C ~ 125°C 不同温度时使用寿命 - 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 1206（3216 公制） 大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值） 0.071"（1.80mm） 引线间距 - 制造商尺寸代码 A 特性 通用
TAJA476K006SNJV 47 µF 模制 钽电容器 6.3 V 1206（3216 公制） 1.6 欧姆 @ 100kHz
TAJA476K006SNJV，电容 47 µF 容差 ±10%_电压 - 额定 6.3 V 类型 模制 ESR（等效串联电阻） 1.6 欧姆 @ 100kHz 工作温度 -55°C ~ 125°C 不同温度时使用寿命 - 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 1206（3216 公制） 大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值） 0.071"（1.80mm） 引线间距 - 制造商尺寸代码
对上联系 O3853QDCARQ1 S9S12ZVL32AMLF S912ZVC19F0VKH S912ZVC19F0MKHR S9S12XS256J0VAL PIC18F97J60-I/PT
O3853QDCARQ1 S9S12ZVL32AMLF S912ZVC19F0VKH S912ZVC19F0MKHR S9S12XS256J0VAL PIC18F97J60-I/PT ，O3853QDCARQ1 S9S12ZVL32AMLF S912ZVC19F0VKH S912ZVC19F0MKHR S9S12XS256J0VAL PIC18F97J60-I/PT BD6950EFV-CE2 MPQ2166AGRHE-AEC1-Z MCP4728T-E/UN LM
MK70FN1M0VMJ15 MK66FN2M0VLQ18 新到稀缺料。
MK70FN1M0VMJ15 MK66FN2M0VLQ18 新到稀缺料。，MK70FN1M0VMJ15 MK66FN2M0VLQ18 新到稀缺料，全新原装正品。
推现货 需要来找我 MT7688AN/A TLE9877QXA40 NCP45521IMNTWG-H STM32F413VGT6TR STM32F373CCT6
MT7688AN/A TLE9877QXA40 NCP45521IMNTWG-H STM32F413VGT6TR STM32F373CCT6 STM32F765ZIT6，MT7688AN/A TLE9877QXA40 NCP45521IMNTWG-H STM32F413VGT6TR STM32F373CCT6 STM32F765ZIT6 PI3HDX414FCEEX PI3HDMI301FFEX PI3HDMI336FBEX PI3HDMI101ZHEX PI3HDMI412ADZBE
LSCNE2016FETR68MCB功率电感器
电感器非常适合消费类应用中的一般电子设备，LSCN 系列功率电感器具有 0.1 μH 至 2.2 μH 的电感范围和 ±20%_的电感容差。这些多层金属功率电感器提供各种外壳尺寸，包括 1005、1210、1412、1608、2012 和 2016。这些模块提供四种电极选项，最大厚度范围为 0.50 mm 至 1 mm。LSCN 系列的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C（包括自生热）。这些电感器符合 RoHS 和 REACH 标准，不含卤素，适用于回流焊接。TAIYO YUDEN LSCN 功率
BGM240SB22VNA2模块和无线电板
BGM240S/MGM240S 模块以及 xGM240S 无线电板支持各种协议栈，无线模块提供基于系列 2 EFR32BG24 SoC 的小型 7 x 7 mm 外形系统级封装 (SiP)。它们支持 Bluetooth® Low Energy (BLE) 连接或 802.15.4 Zigbee® 和 OpenThread®。Bluetooth 和 802.15.4 模块适用于智能家居，包括开关、传感器、门锁、智能插头、网关和集线器。此外，802.15.4 模块服务于楼宇自动化交换机、传感器和网关。Blue
IRFR110TRPBF-BE3
IRFR110TRPBF-BE3，製造商: Vishay 產品類型: MOSFET RoHS: 詳細資料 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V Id - C連續漏極電流: 4.3 A Rds On - 漏-源電阻: 540 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源
MJD45H11AJ
MJD45H11AJ，製造商: Nexperia 產品類型: 雙極結晶體管 - BJT RoHS: 詳細資料 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: DPAK-3 晶體管極性: PNP 配置: Single 集電極-發射極最大電壓VCEO: 80 V 集電極-基極電壓VCBO: - 發射機-基極電壓VEBO: 6 V 集電極-發射極飽和電壓: 1 V 集電極最大直流電流: 8 A Pd - 功率消耗 : 20 W 增益帶寬積 fT: 80 MHz
CP2102-GMR
CP2102-GMR，品 牌： SILICON LABS(芯科) 厂家型号： CP2102-GMR 单击复制 商品编号： C6568 封装： WQFN-28-EP(5x5) 数据手册： 下载文件 方案验证板： 免费验证板 商品毛重： 0.145克(g) 包装方式： 编带
