制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 460 A
Rds On-漏源导通电阻: 460 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 117.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 428 W
通道模式: Enhancement
商标: Diodes Incorporated
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
2000
子类别: MOSFETs
