IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件
IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件,驱动电路的基本性能 ??IGBT器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs,因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容CGs较大,在1~l00pF,甚至更大,因而需要较大的动态驱动功率。 ??IGBT栅极电压可由不同的驱动电路产生,栅极驱动电路设计的优劣直接关系到