NCP349MNAETBG
NCP349MNAETBG,NCP349MNAETBG_QFN导读 作为高精度位置服务的典型应用场景,自动驾驶也在争议中不断发展,其涉及的关键技术环节多、产业链长,加速自动驾驶的商业化落地离不开所有相关产业和技术的并驾齐驱。 NCP349MNAETBG_QFN BUK7Y20-30B LT3015EDD#TRPBF LTC3115EDHD-1#PBF LT6202IS5#TRMPBF LT8610EMSE#TRPBF LTC3542IDC#TRPBF 。 因为无论
NCP349MNAETBG,NCP349MNAETBG_QFN导读 作为高精度位置服务的典型应用场景,自动驾驶也在争议中不断发展,其涉及的关键技术环节多、产业链长,加速自动驾驶的商业化落地离不开所有相关产业和技术的并驾齐驱。 NCP349MNAETBG_QFN BUK7Y20-30B LT3015EDD#TRPBF LTC3115EDHD-1#PBF LT6202IS5#TRMPBF LT8610EMSE#TRPBF LTC3542IDC#TRPBF 。 因为无论
C3225X7R2A106K250AC ,制造商: TDK 产品种类: 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 详细信息 电容: 10 uF 电压额定值 DC: 100 VDC 电介质: X7R 容差: 10 %_ 外壳代码 - in: 1210 外壳代码 - mm: 3225 高度: 2.5 mm 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 产品: General Type MLCCs 端接类型: SMD/SMT
CGA6M1X7S1A336M200AC ,制造商: TDK 产品种类: 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 详细信息 终端: Standard 电容: 33 uF 电压额定值 DC: 10 VDC 电介质: X7S 容差: 20 %_ 外壳代码 - in: 1210 外壳代码 - mm: 3225 高度: 2 mm 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 端接类型: SMD/SMT 资格: AEC-Q200
LNK304DN-TL_SOP7,LNK304DN-TL_SOP7导读 当前,芯片市场需求分化加剧:一方面,消费级芯片需求萎靡迫使渠道商开始清库存,前期被爆炒的部分芯片,渠道价格开始回落;。 LNK304DN-TL_SOP7 SN74ACT245DWR LT3015EDD#TRPBF LTC3115EDHD-1#PBF LT6202IS5#TRMPBF LT8610EMSE#TRPBF LTC3542IDC#TRPBF 。 ADI接连收购OtoSense与Test
B5B-ZR(LF)(SN)_原封装,B5B-ZR(LF)(SN)_原封装导读 在时分双工 (TDD) 系统中,天线接口纳入了开关功能,以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。该开关功能可直接在天线接口上使用 (在功率相对较低的系统中,如图 1 所示),或在接收路径中使用 (针对较高功率应用,如图 2 所示),以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。 B5B-ZR(LF)(SN)_原封装 GS1002FL 在此类系统的 RF 前端部分
公司新到原装现货,优势出: LTC3863IMSE#PBF ADP1741ACPZ-R7 AD8180ARZ-R7 ADCMP600BRJZ-REEL7,华斯顿科技最新到货,优势出: LTC3863IMSE#PBF ADP1741ACPZ-R7 AD8180ARZ-R7 ADCMP600BRJZ-REEL7 LT3680IMSE#PBF LTM2882IY-5#PBF AD8184ARZ-REEL7 LTC2917HMS-B1#PBF LTC3311SIV#WPBF
RF7182DTR13-3K,RF7182DTR13-3K_QFN导读 ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不会让 RF 前端成为其设计瓶颈。 RF7182DTR13-3K_QFN GS1002FL_R1_00001 但在本土芯片公司实力提升、产业链上下游竞争开始变得更加有序、车载新能源等新兴需求拉动、全球半导体产能增长缓慢等因素影响下,预计不会出现原厂芯片大幅降价的现象。 AD8606ACBZ-REE
S9S12HY64J0CLL_QFP,S9S12HY64J0CLL_QFP导读 在此情况下,产业合作伙伴对于能够连接数字与现实世界的模拟技术需求前所未有的增加。而ADI正能为众多细分市场提供作为传统产业数字化入口的模拟半导体技术,让合作伙伴能够专心在数字经济浪潮中乘风破浪,不必被底层技术的难题困扰。 S9S12HY64J0CLL_QFP M24LR04E-RMC6T/2 ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不
MABAES0060,MABAES0060_SM22导读 在物联网时代,大多数的应用或多或少都与位置服务相关联,尤其是对于移动物体,定位需求更为明显。 MABAES0060_SM22 EVQ11G09K BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。 ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不会让 RF 前端成为其设计瓶颈。ADI 采用硅技术的新型高功率开关
CSD19538Q3AT,CSD19538Q3AT_QFN导读 在此类系统的 RF 前端部分仍然需要实现类似的集成,意在降低功耗 (以改善热管理) 和缩减尺寸(以降低成本),从而容纳更多的 MIMO 通道。 CSD19538Q3AT_QFN FOD817SD BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。 ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不会让 RF
LM2703MFX-ADJ,LM2703MFX-ADJ_SOT23-5导读 事实上,近些年随着AI在物联网的渗透和边缘计算能力的增强,MEMS传感器凭借体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高等一系列优点,正逐渐成为微型传感器的主力军,大有取代传统机械传感器的趋势。 LM2703MFX-ADJ_SOT23-5 R5F51305ADFM ADG408BRZ+B46:B51-REEL7 LT1172IS8#TRPBF AD8512ARZ-REEL7 ADM2582EBRWZ-RE
CG101C_QFP,CG101C_QFP导读 在此情况下,产业合作伙伴对于能够连接数字与现实世界的模拟技术需求前所未有的增加。而ADI正能为众多细分市场提供作为传统产业数字化入口的模拟半导体技术,让合作伙伴能够专心在数字经济浪潮中乘风破浪,不必被底层技术的难题困扰。 CG101C_QFP LAN8710AI-EZK 对于本轮半导体周期调整,多位业内人士表示,鉴于全球经济还处于复苏期,半导体与之共振需求恢复可能还需要一段时间,不排除后续更多芯片品类继续有小幅的价格回调。
MAX9860ETG+T,MAX9860ETG+T_QFN导读 在此情况下,产业合作伙伴对于能够连接数字与现实世界的模拟技术需求前所未有的增加。而ADI正能为众多细分市场提供作为传统产业数字化入口的模拟半导体技术,让合作伙伴能够专心在数字经济浪潮中乘风破浪,不必被底层技术的难题困扰。 MAX9860ETG+T_QFN LMV321IDBVR AD8606ACBZ-REEL7 ADA4940-1ACPZ-R7 ADIS16505-2BMLZ LT3845AEFE#TRPB
TPS6281020QWRWYRQ1转换器的低阻开关可在高温环境下支持高达4A的持续输出电流。该器件可通过外部方式在1.8MHz至4MHz范围内调节开关频率,还可在该频率范围内同步至外部时钟。在PWM/PFM模式下,TPS6281x-Q1会在轻负载情况下自动进入省电模式,从而在整个负载范围内维持高效率。,Texas Instruments TPS6281x-Q1汽车降压转换器 Texas Instruments TPS6281x-Q1汽车降压转换器具有高效率,易于使用。该TPS6281x-Q1系列基于峰
SN74AHCT1G08DCKR 原装现货特价热卖,优势出 OPA830AIDR OPA847IDR OPT3007YMFR PCA9306DQER PCA9546APW PCA9554APW PCM1754DBQR PCM1808PWR PESD3V3S1BL-QFN1006 PI3CH480QEX PIC18C658-I/PT PICI8C658-I/L PS8407ATQFN40GTR2-A1 PTVS5V0S1UR PXE1410CDM-G003 PXM1310CD
LM2904LV-Q1 的特性 适用于成本敏感型系统的业界通用放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位带宽增益积:1MHz 低宽带噪声:40nV/√Hz 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在 2.7V 至 5.5V 的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的 ESD 规格:2kV ,热销料 优势出 5CSEMA2U23I7N EP4CE6E22I7N ADV3003ACPZ-R7 ADV3003ACPZ-R7 LT3010EMS8E#TRPBF ADSP-B
LMR23630FQDRRRQ1 封装WSON12 22+ 440pcs,公司原装现货
原装正品,Product Status 在售 类型 收发器 协议 CANbus 驱动器/接收器数 1/1 双工 半 数据速率 - 电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 8-SOIC
优势渠道,FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 335 nC @ 10 V Vgs(最大值)
原装正品,力挺实单,描述:CPU内核:ARM Cortex-M3 CPU最大主频:72MHz 工作电压范围:2V~3.6V 内部振荡器:有 外部时钟频率范围:4MHz~16MHz 程序 FLASH容量:128KB RAM总容量:20KB GPIO端口数量:37
TLV73330PDBVR,新到货TLV73330PDBVR型号:TLV73330PDBVR品牌:TI/德州仪器封装:SOT23-5批次:22+ 数量 50000原装现货 公司是一家集成电路(IC)供应商, 2001年公司在香港成立采购中心和进出口中心,在中国/深圳成立销售中心。 公司经过多年的努力和电子元件的销售经营,公司积累了大量的现货库存, 与亚洲、北美洲和欧洲的半导体工厂、代理商建立了友好的合作关系,并建立了良好的供货渠道。 为客户带来了高质量进口原装原厂产品及相关技术支持与服务。公司随着岁月的成