REF3212AIDBVTG4
REF3212AIDBVTG4， 集成电路（IC） 电源管理（PMIC） 电压基准 制造商 Texas Instruments 系列 - 包装 卷带（TR） 产品状态 Digi-Key 停止提供 参考类型 系列 输出类型 固定 电压 - 输出（最小值/固定） 1.25V 电流 - 输出 10 mA 容差 ±0.2%_温度系数 20ppm/°C 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 17µVp-p 噪声 - 10Hz 至 10Hz 24µVrms 电压
AM3359BZCZA80
AM3359BZCZA80 ， 集成电路（IC） 嵌入式 微处理器 制造商 Texas Instruments 系列 Sitara™ 包装 托盘 产品状态 在售 核心处理器 ARM® Cortex®-A8 内核数/总线宽度 1 核，32 位 速度 800MHz 协处理器/DSP 多媒体；NEON™ SIMD RAM 控制器 LPDDR，DDR2，DDR3，DDR3L 图形加速 是 显示与接口控制器 LCD，触摸屏 以太网 10/100/1000Mbp
TOL-18340
优势渠道，产品状态 在售 样式 手持型 类型 数字（DMM） 显示数字 4 显示类型 LCD 显示计数 6000 功能 电压，电流，电阻，电容，温度，频率 功能，额外 连续性，二极管测试 特性 自动关闭 测距 自动 响应 平均值 等级 - 包括 测试引线
OPB880N11
OPB880N11，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 自由悬挂 封装/外壳 模块，预接线
EE-SX910-R 1M
EE-SX910-R 1M，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 NPN - 开路集电极 电流 - DC 正向（If） NPN - 开路集电极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） NPN - 开路集电极 电压 - 集射极击穿（最大值） NPN - 开路集电极 响应时间 - 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
EE-SX910-R 1M
EE-SX910-R 1M，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 NPN - 开路集电极 电流 - DC 正向（If） NPN - 开路集电极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） NPN - 开路集电极 电压 - 集射极击穿（最大值） NPN - 开路集电极 响应时间 - 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
OPB880N11
OPB880N11，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 自由悬挂 封装/外壳 模块，预接线
OPB871N55TX
OPB871N55TX，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，预接线
PGA970QPHPR LVDT传感器信号调理器
PGA970QPHPR LVDT传感器信号调理器，PGA970QPHPR LVDT传感器信号调理器 产品型号：PGA970QPHPR 产品品牌：TI/德州仪器 产品封装：QFP48 产品功能：信号调节器 PGA970QPHPR特性 ●模拟 特性 适用于 LVDT 传感器的可编程增益模拟前端 激励波形发生器和放大器 具有幅度和相位解调器的双通道 24 位 ADC 24 位辅助 ADC 片上内部温度传感器 具有可编程增益的 14 位输出 DAC
OPB880N11
OPB880N11，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 自由悬挂 封装/外壳 模块，预接线
EE-SX910-R 1M
EE-SX910-R 1M，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 NPN - 开路集电极 电流 - DC 正向（If） NPN - 开路集电极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） NPN - 开路集电极 电压 - 集射极击穿（最大值） NPN - 开路集电极 响应时间 - 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
EE-SX910-R 1M
EE-SX910-R 1M，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 NPN - 开路集电极 电流 - DC 正向（If） NPN - 开路集电极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） NPN - 开路集电极 电压 - 集射极击穿（最大值） NPN - 开路集电极 响应时间 - 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
OPB880N11
OPB880N11，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 自由悬挂 封装/外壳 模块，预接线
OPB871N55TX
OPB871N55TX，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，预接线
OPB871N55TX
OPB871N55TX，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，预接线
芯资讯：Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世
芯资讯：Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世，Facebook母公司Meta加入Google、亚马逊、微软的半导体大战，首度公开自行研发AI芯片进展。 Meta正在打造特别为AI设计的基础设施架构，涵盖硬件与软件堆栈的各个层面，以及串联这些技术的定制化网络，包括Meta第一款用于执行AI模型的定制芯片、针对AI最佳化的数据中心设计，以及目前进展至第二阶段的AI超级计算机。 名为Meta Trainingand_Inference Accelerator（MTIA）的全新ASIC芯片，是M
OPB871N55TX
OPB871N55TX，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，预接线
Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世
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精密放大器 TSZ121ILT
精密放大器 20uV 5V Micro Op Amp 1.8 to 5.5V 400kHz，制造商: STMicroelectronics 产品种类: 精密放大器 RoHS: 环保 系列: TSZ121 通道数量: 1 Channel GBP-增益带宽产品: 400 kHz SR - 转换速率 : 170 mV/us CMRR - 共模抑制比: 112 dB 每个通道的输出电流: 18 mA Ib - 输入偏流: 50 pA Vos - 输入偏置电压 : 1 uV
Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世
Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世，董事长朱峻咸分析，Facebook母公司Meta加入Google、亚马逊、微软的半导体大战，首度公开自行研发AI芯片进展。 据资料显示，Meta正在打造特别为AI设计的基础设施架构，涵盖硬件与软件堆栈的各个层面，以及串联这些技术的定制化网络，包括Meta第一款用于执行AI模型的定制芯片、针对AI最佳化的数据中心设计，以及目前进展至第二阶段的AI超级计算机。 名为Meta Trainingand_Inference Accelerator（MTIA）的
芯资讯：Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世
芯资讯：Meta首度公开自研AI芯片，估2025年正式问世，Facebook母公司Meta加入Google、亚马逊、微软的半导体大战，首度公开自行研发AI芯片进展。 据华雄集团资料显示，Meta正在打造特别为AI设计的基础设施架构，涵盖硬件与软件堆栈的各个层面，以及串联这些技术的定制化网络，包括Meta第一款用于执行AI模型的定制芯片、针对AI最佳化的数据中心设计，以及目前进展至第二阶段的AI超级计算机。 名为Meta Trainingand_Inference Accelerator（MTIA）的全
三极管 ZXTN2010ZTA DIODES(美台)
ZXTN2010ZTA DIODES(美台) SOT-89-3 30K现货供应，深圳市天卓伟业 ，制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-89-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V 集电极—基极电压 VCBO: 150 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V 集电极—射极饱和电压: 23
储能技术在光伏发电中的应用及分类
储能技术在光伏发电中的应用及分类 ，储能技术在光伏发电中的应用及分类 太阳能供应的能量， 随时间、 季节呈周期性或非周期性变化， 不具备定量持续供应的特性， 给进一步利用带来了 困难。 因此， 人们开始研究如何将这些能源储存起来保证能量和需求的稳定性。 由于蓄电池技术比较成熟， 现在大多数的光伏发电系统还是采用的蓄电池，小型的独立光伏发电系统会用铅酸蓄电池， 也有用铬镍蓄电池的， 大中型的系统一般都会用铅酸蓄电池。 然而随着超级电容的材料和制作工艺的
ST/意法 STMPS2141MTR 电源开关 IC - 配电 封装SOIC-8 全新原装
ST/意法 STMPS2141MTR 电源开关 IC - 配电 封装SOIC-8 全新原装 价格优势，制造商: STMicroelectronics 产品种类: 电源开关 IC - 配电 类型: Low Side 输出端数量: 1 Output 输出电流: 500 mA 电流限制: 800 mA 导通电阻—最大值: 130 mOhms 运行时间—最大值: 5 ms 空闲时间—最大值: 10 ms 工作电源电压: 2.7 V to 5.5 V 最小工作温度:
REF1925AIDDCR
REF1925AIDDCR，制造商:Texas Instruments产品种类:参考电压RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-Thin-5温度系数:25 PPM / C最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:REF1925封装:Reel工作温度范围:- 40 C to + 125 C商标:Texas Instruments湿度敏感性:Yes产品类型:Voltage References工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Managemen
