• P2020NXN2KFC原装原标签现货

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  • 晶体管 MOSFET IPD90P04P4L04ATMA1

    MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2,制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 环保 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5

  • BCM59122B0KMLG优势渠道,工厂库存,接受货期的来,力挺实单。。

    型号 AWM6422RM18P8 AWM6432RM18P8 BCM59122B0KMLG BCM56146A1KFEBG BCM59128B0KMLG BCM8725AIFBG BCM56630B0IFSBLG HSMF-C11B-000A2 B50210B0KMLG BCM56744A1KFTBG BCM5241A1KMLG BCM54998EB0KFSBG NLP10142-19CC3G BCM53016A1KFEBG NLP2042M-19CB2G NL56613DFHV BCM59131B0,型

  • AZ431AN-ATRE1公司现货,特价供应!!

    型号 AZ431AN-ATRE1 LMR14050SDDAR DMR-10-T-V-T/R LM2596T-12 TCLT1005 74HC245D DMMT5401-7-F FUSB302BMPX GP2A25J0000F GS61001 ELL-6RH1R0M DSIC02TSGER SN74LS07DR DMR-08-T-V-T/R AUIRF1404ZS QS3251S1 AMS1117-3.3 KSZ8721BL IW1760B-00 LM7372MRX TC358748XBG TC3,型号

  • 晶体管 MOSFET :NTTFS4C25NTWG

    MOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MOHM,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 环保 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WDFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 27 A Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-

  • 单 FET,MOSFET: IPD30N06S2L23ATMA3

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31,类别:分立半导体产品:晶体管:FET,MOSFET:单 FET,MOSFET 制造商:Infineon Technologies 系列:OptiMOS™ FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 2

  • 功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考

    功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考,贰 供不应求,国产IGBT市场黄金期到来 董事长朱峻咸分析:2022年中国IGBT产业进入爆发期,在经历了2020年始的两年汽车缺芯后,IGBT愈发紧俏,在2022年下半年,其甚至超越车用MCU,成为影响汽车扩产的最大掣肘。 据资料显示,此后随着新能源汽车的发展,IGBT成为产业发展焦点。中国汽车工业协会最新统计显示,2022年中国新能源汽车持续爆发式增长,产销分别完成705.8万辆和688.7万辆,同比分别增长96.9%和93.4%,连续8

  • 芯资讯:功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考

    芯资讯:功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考,朱峻咸分析:2022年中国IGBT产业进入爆发期,在经历了2020年始的两年汽车缺芯后,IGBT愈发紧俏,在2022年下半年,其甚至超越车用MCU,成为影响汽车扩产的最大掣肘。 据华雄集团资料显示,此后随着新能源汽车的发展,IGBT成为产业发展焦点。中国汽车工业协会最新统计显示,2022年中国新能源汽车持续爆发式增长,产销分别完成705.8万辆和688.7万辆,同比分别增长96.9%和93.4%,连续8年保持全球第一。 IGBT作为新

  • NJW21193

    NJW21193,晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):250V 集电极电流(Ic):16A 功率(Pd):200W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@8A,5V 双极功率晶体管,互补,16 A,250 V NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术,专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

  • ST/意法 M29W800DB70N6E NOR闪存 封装TSOP-48 全新原装 价格优势

    ST/意法 M29W800DB70N6E NOR闪存 封装TSOP-48 全新原装 价格优势,制造商: Micron Technology 产品种类: NOR闪存 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-48 系列: M29W 存储容量: 8 Mbit 电源电压-最小: 2.7 V 电源电压-最大: 3.6 V 接口类型: Parallel 组织: 1 M x 8/512 k x 16 数据总线宽度: 8 bit/16 bit 定时类型

  • 原装 LDK120M11R SOT-23-5 电源管理 IC 稳压器 电子元器件配单

    原装 LDK120M11R SOT-23-5 电源管理 IC 稳压器 电子元器件配单,产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 低压差稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-5 输出电压: 1.1 V 输出电流: 200 mA 输出端数量: 1 Output 极性: Positive 静态电流: 100 uA 输入电压(最小值): 1.9 V 输入电压(最大值): 5.5 V 输出类型

  • 原装 现货 BAT54SFILMY SOT-23-3 二极管与整流器 电子元器件配单

    原装 现货 BAT54SFILMY SOT-23-3 二极管与整流器 电子元器件配单,产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 详细信息 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 配置: Series 技术: Si If - 正向电流: 300 mA Vrrm - 重复反向电压: 40 V Vf - 正向电压: 240 mV Ifsm - 正

  • HD64F7044F28

    HD64F7044F28 ,品牌 HITACHI 封装 QFP 批号 18+ 数量 201 制造商 Renesas Electronics America Inc 系列 SuperH® SH7040 产品状态 停产 核心处理器 SH-2 内核规格 32 位单核 速度 28.7MHz 连接能力 SCI 外设 DMA,POR,PWM,WDT I/O 数 74 程序存储容量 256KB(256K x 8) 程序存储器类型 闪存 RAM 大小 4K x

  • AD7678AST

    AD7678AST ,品牌 AD 封装 QFP 批号 18+ 数量 903 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 100C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7V 长度 6.6mm 宽度 2.5mm 高度 1.6mm 可售卖地 全国 型号 AD7678AST

  • AX88790L

    AX88790L ,品牌 ASIX 封装 QFP 批号 18+ 数量 870 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 90C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 3.2mm 宽度 7.8mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 AX88790L

  • XCS10-3VQ100C

    XCS10-3VQ100C ,品牌 XILINX 封装 QFP 批号 18+ 数量 984 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 130C 最小电源电压 1V 最大电源电压 9.5V 长度 2.1mm 宽度 1.3mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 XCS10-3VQ100C

  • AMC1305M05DW

    AMC1305M05DW,製造商: Texas Instruments 產品類型: 類比數位轉換器 - ADC RoHS: 詳細資料 系列: AMC1305M05 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOIC-16 分辨率: 16 bit 通道數: 1 Channel 接口類型: Serial 取樣率: 20 MS/s 輸入類型: Differential 建筑學: Sigma-Delta 類比電源電壓: 4.5 V to 5.5 V 數位電源

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2023-5-18 16:59:00
  • TMS320F28379DPTPT

    TMS320F28379DPTPT,製造商: Texas Instruments 產品類型: 32-位微控制器 - MCU RoHS: 詳細資料 系列: TMS320F28379D 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: HLQFP-176 核心: C28x 程序內存大小: 1 MB 數據存儲器大小: 204 kB 數據匯流排寬度: 32 bit ADC解析度: 4 x 12 bit/16 bit 最高時鐘頻率: 200 MHz 輸入/輸出數: 97 I

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2023-5-18 16:59:00
  • 6657S-1-103

    优势渠道,产品状态 在售 电阻 (欧姆) 10k 容差 ±10%_功率 (W) 1.5W 内置开关 无 匝数 1 特性 - 圆锥 线性 组数 1 调节类型 用户自定义 温度系数 ±500ppm/°C 旋转 连续 电阻材料 导电塑料 端接样式 焊接转塔 致动器类型 开槽型 致动器长度 0.875"(22.23mm) 致动器直径 0.2497"(6.34mm) 衬套螺纹 3/8-32 安装类型 面板安装 尺寸 - 本体 圆形 - 1.

  • JC10-000-103N

    优势渠道,产品状态 在售 电阻 (欧姆) 10k 容差 ±20%_功率 (W) 0.125W,1/8W 内置开关 无 匝数 1 特性 长寿命 圆锥 线性 组数 1 调节类型 顶部调节 温度系数 ±400ppm/°C 旋转 连续 电阻材料 导电塑料 端接样式 PC 引脚 致动器类型 开槽型 致动器长度 0.591"(15.00mm) 致动器直径 0.118"(3.00mm) 衬套螺纹 M6 x 0.75 安装类型 面板安装 尺寸 -

  • MRS25000C3013FCT00

    MRS25000C3013FCT00,制造商: Vishay 产品种类: 金属膜电阻器 - 透孔 RoHS: 详细信息 系列: MRS25 端接类型: Axial 电阻: 301 kOhms 功率额定值: 600 mW 容差: 1 %_ 温度系数: 50 PPM / C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 155 C 电压额定值: 350 V 直径: 2.5 mm 长度: 6.5 mm 封装: Bulk 产品: Metal Film

  • EL3H7(C)(TA)-VG

    EL3H7(C)(TA)-VG,类别 隔离器 光隔离器 晶体管,光电输出光隔离器 制造商 Everlight Electronics Co Ltd 系列 - 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 通道数 1 电压 - 隔离 3750Vrms 电流传输比(最小值) 200%_@ 5mA 电流传输比(最大值) 400%_@ 5mA 接通 / 关断时间(典型值) - 上升/下降时间(典型值) 5µs,3µs 输

  • VOL618A-3X001T

    VOL618A-3X001T,类别 隔离器 光隔离器 晶体管,光电输出光隔离器 制造商 Vishay Semiconductor Opto Division 系列 - 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 通道数 1 电压 - 隔离 5000Vrms 电流传输比(最小值) 100%_@ 1mA 电流传输比(最大值) 200%_@ 1mA 接通 / 关断时间(典型值) 6µs,5.5µs 上升/下降时间(典型值

  • CMF5516K900FKEK

    CMF5516K900FKEK,制造商: Vishay 产品种类: 金属膜电阻器 - 透孔 RoHS: 详细信息 系列: CMF Industrial 端接类型: Axial 电阻: 16.9 kOhms 功率额定值: 500 mW (1/2 W) 容差: 1 %_ 温度系数: 100 PPM / C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 电压额定值: 250 V 直径: 2.29 mm 长度: 6.1 mm 封装: Bulk

  • ST/意法 M29W800DB70N6F NOR闪存 封装TSOP-48 全新原装 价格优势

    ST/意法 M29W800DB70N6F NOR闪存 封装TSOP-48 全新原装 价格优势,制造商: STMicroelectronics 产品种类: NOR闪存 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-48 系列: M29W 存储容量: 8 Mbit 电源电压-最小: 2.7 V 电源电压-最大: 3.6 V 接口类型: Parallel 组织: 1 M x 8/512 k x 16 数据总线宽度: 8 bi