OPB875L51
OPB875L51，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
OPB892L55
OPB892L55，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 PCB 安装
OPB892N55Z
OPB892N55Z，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 - 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 自由悬挂 封装/外壳 模块，预接线
TPS60400DBVR
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-5 拓扑结构: Boost, Buck, Inverting 输出电压: - 1.6 V to - 5.25 V 输出电流: 60 mA 输出端数量: 1 Output 输入电压（最小值）: 1.6 V 输入电压（最大值）: 5.5 V 静态电流: 100 uA 开关频率: 50 kHz to 2
MAX8521EWX+T
进口代理，制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 专业电源管理 (PMIC) RoHS: 详细信息 系列: MAX8521 封装 / 箱体: WLP-36 封装: Reel 商标: Analog Devices / Maxim Integrated 产品类型: Power Management Specialized - PMIC 2500 子类别: PMIC - Power Management ICs 零件号别名: MAX8521 单
ONET1141LRGET
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 激光驱动器 RoHS: 详细信息 系列: ONET1141L 工作电源电流: 170 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 100 C 封装 / 箱体: VQFN-24 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Texas Instruments 湿度敏感性: Yes 安装风格: SMD/SMT 工作温度范围: - 40 C
PIC18F46K22-I/PT
进口代理，制造商: Microchip 产品种类: 8位微控制器 -MCU RoHS: 详细信息 系列: PIC18F2xK22 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-44 核心: PIC18 程序存储器大小: 64 kB 数据总线宽度: 8 bit ADC分辨率: 10 bit 最大时钟频率: 64 MHz 输入/输出端数量: 25 I/O 数据 RAM 大小: 3.8 kB 电源电压-最小: 1.8 V 电源电压-最大: 5.
ST/意法 STM32F107VCT6 ARM微控制器 - MCU 封装LQFP-100 全新原装 价格优势
ST/意法 STM32F107VCT6 ARM微控制器 - MCU 封装LQFP-100 全新原装 价格优势，制造商: STMicroelectronics 产品种类: ARM微控制器 - MCU 系列: STM32F107VC 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 72 MHz 输入/输
REF3112AQDBZRQ1
REF3112AQDBZRQ1，制造商: Texas Instruments 产品种类: 参考电压 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 参考类型: Series Precision References 输出电压: 1.25 V 初始准确度: 0.2 %_ 温度系数: 20 PPM / C 串联VREF—输入电压—最大值: 5.5 V 分流电流—最大值: 10 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度
SN74LS373N
SN74LS373N，品 牌： TI(德州仪器) 厂家型号： SN74LS373N 商品编号： C10423 封装： DIP-20 数据手册： 下载文件 商品毛重： 0.82克(g) 包装方式： 管装
XC7A100T-2FGG676I
XC7A100T-2FGG676I，制造商: Xilinx 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 系列: XC7A100T 逻辑元件数量: 101440 LE 输入/输出端数量: 300 I/O 电源电压-最小: 950 mV 电源电压-最大: 1.05 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 100 C 数据速率: 6.6 Gb/s 收发器数量: 8 Transceiver 安装风格: SMD/SMT 封装
碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进
碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进，近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在
碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进
碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进，近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。 除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一
芯资讯：碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进
芯资讯：碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进，近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。 除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损
芯资讯：碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进
芯资讯：碳化硅扩产、量产消息不断，瑞萨、X-FAB跟进，近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。 除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。 其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损
晶体管 MOSFET AUIRF7342QTR
MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 环保 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流: 3.4 A Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20
晶体管 MOSFET SISA10DN-T1-GE3
MOSFET For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3，制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 环保 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 30 A Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压
变容二极管 MMBV432LT1G
变容二极管 14V 43pF，制造商: onsemi 产品种类: 变容二极管 RoHS: 环保 电容: 43 pF Vr - 反向电压 : 14 V 安装风格: SMD/SMT 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 配置: Dual Common Cathode 应用: Tuner 商标: onsemi 高度: 0.94 mm 长度: 2.9 mm 最小调
调节器/解调器 SI2180-B60-GMR
调节器/解调器 ISDB-T and DVB-T/C Digital Demodulator，制造商: Skyworks 产品种类: 调节器/解调器 类型: Demodulator 调制格式: QAM 最大频率: 30 MHz 最小频率: 4 MHz 工作电源电压: 1.2 V, 3.3 V 技术: Si 最小工作温度: - 10 C 最大工作温度: + 75 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-48 商标: Skyworks
CH32V303VCT6
CH32V303VCT6,互联型RISC-V单片机CH32V307.，CH32V303VCT6,互联型RISC-V单片机CH32V307. CH32V305/7系列是基于32位RISC-V设计的互联型微控制器，配备了硬件堆栈区、快速中断入口，在标准RISC-V基础上大大提高了中断响应速度。加入单精度浮点指令集，扩充堆栈区，具有更高的运算性能。扩展串口UART数量到8组，电机定时器到4组。提供USB2.0高速接口（480Mbps）并内置了PHY收发器，以太网MAC升级到千兆并集成了10M-PHY模块。
ST/意法 STM32L151VET6 ARM微控制器 - MCU 封装LQFP-100 全新原装 价格优势
ST/意法 STM32L151VET6 ARM微控制器 - MCU 封装LQFP-100 全新原装 价格优势，制造商: STMicroelectronics 产品种类: ARM微控制器 - MCU 系列: STM32L151VE 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 512 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 32 MHz 输入/
L9961TR电池管理系统
STMicroelectronics 的电池组监控、平衡和保护基于锂离子和锂聚合物电池的系统 ，L9961 在基于具有 3、4 或 5 串联配置的锂离子和锂聚合物电池的完整电池组监控、平衡和保护系统中发挥着关键作用。L9961 使用高精度 ADC 通过外部 NTC 提供电池电压、电池组电压和温度转换。电压监控功能以可编程循环时间循环执行。堆栈电流也通过高精度 CSA 监控，持续运行并执行库仑计数。提供电池平衡，并且可以在所有电池上同时激活。SOC/SOH 估计的 IC 配置和信息交换通过 I²C 外围设备
AP62500SJ-7降压转换器
Diodes 的高效 5 A 和 8 A 同步降压转换器提供灵活简单的 POL 设计优化，AP62500 和 AP62800 是高效的 5 A 和 8 A 同步降压 DC/DC 转换器。通过采用恒定导通时间 (COT) 控制，可实现快速瞬态响应和简单的环路稳定。为帮助设计人员优化性能，AP62500 和 AP62800 具有三种可选择的开关频率以及三种可选择的操作模式。此外，它们的软启动时间可以调整以防止启动浪涌电流，同时还支持跟踪功能。这两款器件均包含全套保护功能（包括过流保护、欠压锁定和热关断），可使
HEMC3-SC-VLW
HEMC3-SC-VLW，类型 非受控 配置 固定 铜端口 2 铜类型 10/100 光纤端口 1 光纤类型 100BASE-FX（多模） SFP/XFP 端口 - 特性 - 距离 2km MTU - 电压 - 输入 12 ~ 36VDC 连接器类型 SC 安装类型 DIN 轨道 侵入防护 IP30 工作温度 -40°C ~ 75°C 基本产品编号 HEMC3
