AI服务器带动业绩增长，存储芯片市场格局生变
近年来，全球AI服务器需求持续攀升，直接拉动了服务器厂商及上游芯片企业的业绩。
戴尔科技公布2026财年第一财季（截至2025年5月2日）财报，单季营收达到233.8亿美元，同比增长5%；non-GAAP营业利润为17亿美元，增长10%；净利润达11亿美元，同比增长13%。在AI服务器领域，戴尔第一财季服务器及网络部门营收达63亿美元，创下新高。戴尔首席运营官杰夫·克拉克表示，季度AI订单额高达121亿美元，已超去年全年出货量。截至当前，戴尔仍积压有144亿美元订单。公司预计下一财季AI服务器出货约70亿美元，大幅领先去年同期水平。
另外，富士康作为英伟达AI服务器的重要合作伙伴，也因AI服务器热销，2025年第一季度营收同比增长24.2%，净利润达到421.2亿新台币（13.9亿美元），同样超出市场预估。公司预计，二季度AI服务器业务将延续两位数增长态势，出货进一步提速。
芯片方面，英伟达明确，将于今年下半年引入新一代Blackwell Ultra GPU，搭载12层HBM3e显存，可实现8TB/s的带宽。到2026年下半年，公司将推出Vera Rubin系列，届时内存容量与带宽将进一步提升。此外，未来Vera Rubin Ultra计划将CPU与Rubin Ultra（四芯片GPU）集成，预计2027年问世。
HBM市场竞逐加速，三星与SK海力士各展拳脚
面对AI服务器爆发式增长，高带宽存储器（HBM）需求快速上升。三星电子最新季报会议透露，下半年将加快12层堆叠HBM3E量产进度，目前正冲刺英伟达产品认证，目标7~8月完成认证工作。如果2025年未能如期供货，三星或将修正其HBM3E策略，转投下一代HBM产品线。
SK海力士已领先推出16层堆叠HBM3E，带宽高达1.2TB/s，主要用于英伟达最新Blackwell Ultra集群。该公司新一代HBM4单颗最大容量48GB，带宽可达2.0TB/s，预计2025年下半年实现量产并迅速放量。
另一边，三星正与多家客户联合开发基于HBM4的定制方案，计划今年下半年量产，2026年起面向市场供应。制程方面，SK海力士与美光均已采用1b DRAM工艺制造HBM4，而三星则计划更进一步，布局1c DRAM，并在韩国平泽及华城工厂扩产。三星平泽第四园区1c DRAM生产线已投入运营，后续还将持续扩能。
DDR4减产，DDR5与HBM成未来主流
随着技术升级，主流存储逐步向DDR5和HBM切换。三星已决定自2025年4月起停产部分8GB DDR4（1y/1z工艺）产品，客户最后下单期限为6月。SK海力士与美光也同步减少DDR4产能，产线逐步向DDR5、HBM类产品转移。
美光表示，将集中资源扩充HBM产能，同时在公司内部设立专门业务单元服务云端数据中心客户，足见高性能内存正成为AI发展的关键一环。
设备端，SEMI报告显示，由于前后端晶圆及封装需求提升，2024年全球半导体设备投资预计增长至1171亿美元，后端设备投资增速显著，主要受益于HBM封装需求增加。
据TrendForce预计，2026年全球HBM出货量有望突破300亿Gb。其中，HBM4将在下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。
