FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 310mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 2.1V @ 250µA
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 50 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散 350mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
等级 -
资质 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-323
封装/外壳 SC-70，SOT-323
