零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1795 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK33
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
基本产品编号
PSMN4R2
