制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 6.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: HEXFET
系列: P-Channel Power Mosfet
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 6.8 s
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
