作为一款由Nexperia USA Inc.制造的分立半导体产品，BUK9M7R2-40E晶体管FET是一款高性能、高可靠性的MOSFET晶体管。本文将为您介绍BUK9M7R2-40E的特点、技术参数和应用领域，帮助您深入了解这款产品，为您的应用提供更加优质的解决方案。
1.产品特点
BUK9M7R2-40E晶体管FET是一款带有绝缘栅的功率MOSFET晶体管。它具有以下特点：
(1) 低开启电阻：该产品的低开启电阻可实现更高的开关效率和更低的静态功耗。
(2) 高压绝缘：BUK9M7R2-40E晶体管FET的最大公称工作电压为40V，具有良好的高压绝缘性能。
(3) 快速开关速度：MOSFET晶体管在开关过程中具有非常快速的响应速度，BUK9M7R2-40E晶体管FET的开关速度高，能够满足高速开关应用的需求。
(4) 高可靠性：该产品具有优异的抗电源噪声和抗环境干扰能力，可在各种严苛的环境条件下稳定工作。
2. 技术参数
BUK9M7R2-40E晶体管FET的主要技术参数如下：
(1) 最大漏极电压：40V。
(2) 最大漏极电流：55A。
(3) 开态电阻：1.5mΩ。
(4) 绝缘电阻：1000MΩ。
(5) 雪崩能力：100%测试。
(6) 静电放电抗性：2000V。
(7) 操作温度范围：-55℃到175℃。
3. 应用领域
BUK9M7R2-40E晶体管FET可应用于大多数需要低开启电阻和高速开关速度的直流至直流转换器、半桥和全桥拓扑、同步整流器，以及高速开关模式电源等电力应用。此外，该产品还可用于汽车和工业应用中的电源管理和电动机驱动等方面。
4. 综述
在当今电子产品的高速优化市场中，BUK9M7R2-40E晶体管FET无疑是一个令人兴奋的产品。它采用了先进的MOSFET技术和高可靠性设计，使得它成为了目前市场上最好的选择之一。作为分立半导体产品的领军企业Nexperia USA Inc.生产的产品，BUK9M7R2-40E晶体管FET能够满足各种电力转换和控制应用的需求。如果您在寻找一款高性能的、具有良好抗电源噪声和抗干扰能力的MOSFET晶体管，那么BUK9M7R2-40E晶体管FET将是您最佳的选择。
类别:分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商:Nexperia USA Inc.
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:19.7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2567 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）:79W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
