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FJV3114RMTF

2024-4-18 9:06:00
  • FJV3114RMTF

FJV3114RMTF

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 4.7 kOhms

典型电阻器比率: 0.1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 68

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 0.1 A

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 200 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FJV3114R

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

直流电流增益 hFE 最大值: 68

发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V

高度: 0.93 mm

长度: 2.92 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

3000

子类别: Transistors

类型: NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg