型号： SI2308CDS-T1-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： SOT-23-3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Enhancement

系列: Si2308CDS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 16 ns

正向跨导 - 最小值: 3.2 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

包装数量：3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 23 ns

单位重量: 8 mg