采用最新 Trench 9 低欧姆超级结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET，采用坚固的 LFPAK56 封装。该产品经过全面设计并符合 AEC-Q101 要求，可提供高性能和耐用性。完全符合 AEC-Q101 的汽车标准：
175 °C 额定温度，适用于热要求苛刻的环境
Trench 9 超结技术：
减小的单元间距可在相同的占位面积内以更低的 R DSon提高功率密度和效率
与标准 TrenchMOS 相比，改进了 SOA 和雪崩能力
严格的 V GS(th)限制可轻松实现 MOSFET 并联
LFPAK 鸥翼领队：
与传统 QFN 封装不同，在热循环期间吸收机械应力的高板级可靠性
视觉 (AOI) 焊接检测，无需昂贵的 X 射线设备
易于焊料润湿以获得良好的机械焊点
LFPAK铜夹技术：
提高可靠性，降低 R th和 R DSon
增加最大电流能力并改善电流扩散12 V 汽车系统
电机、灯和螺线管控制
启停微混合应用
传输控制
超高性能电源开关
