采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK33 (Power33) 封装中的标准级 N 沟道 MOSFET。该产品的设计符合 AEC Q101 标准,可用于高性能汽车应用。符合 Q101
重复雪崩额定
额定温度为 175 °C,适用于热要求苛刻的环境
175 °C 时 V GS(th)额定值大于 1 V 的真正标准电平门12 V 汽车系统
电机、灯和螺线管控制
传输控制
超高性能电源开关
BUK7M33-60EX
采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK33 (Power33) 封装中的标准级 N 沟道 MOSFET。该产品的设计符合 AEC Q101 标准,可用于高性能汽车应用。符合 Q101
重复雪崩额定
额定温度为 175 °C,适用于热要求苛刻的环境
175 °C 时 V GS(th)额定值大于 1 V 的真正标准电平门12 V 汽车系统
电机、灯和螺线管控制
传输控制
超高性能电源开关
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