类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 400μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.05W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽
