特征
■ 512 Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）
逻辑组织为64K×8
? 高持久性100万亿（1014）读/写
? 151年数据保留（参见数据保留和持久性
第14页）? 无延迟? 写入
? 先进的高可靠性铁电工艺
■ 非常快速的串行外围接口（SPI）
? 频率高达40 MHz
? 直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
? 支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■ 完善的写保护方案
? 使用写保护（WP）引脚的硬件保护
? 使用写禁用指令的软件保护
? 1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
■ 设备ID
? 制造商ID和产品ID
■ 低功耗
? 300?1 MHz时的有效电流
? 90?A（典型）备用电流
? 5.?睡眠模式电流
■ 低压操作：VDD=2.0 V至3.6 V
■ 工业温度：-40?C至+85?C■ 8引脚小轮廓集成电路（SOIC）封装
■ 有害物质限制（RoHS）合规
功能描述
FM25V05是512 K位非易失性存储器，采用
先进的铁电工艺。铁电随机接入
存储器或F-RAM是非易失性的，执行读写操作
类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留
同时消除了复杂性、开销和系统级别
串行闪存、EEPROM和其他引起的可靠性问题
非易失性存储器。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V05执行写入
以总线速度运行。没有发生写入延迟。数据是
在每个字节之后立即写入内存数组
已成功传输到设备。下一个公共汽车周期可以
在不需要数据轮询的情况下开始。此外
与其他产品相比，该产品具有显著的写持久性
非易失性存储器。FM25V05能够支持
1014个读/写周期，或超过1亿倍的写周期
EEPROM。
这些功能使FM25V05成为非易失性的理想选择
内存应用程序，需要频繁或快速写入。
示例包括数据收集，其中写入次数
周期可能对要求工业控制至关重要
串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。
FM25V05为系列
EEPROM或闪存作为硬件替换。这个
FM25V05使用高速SPI总线，增强了
F-RAM技术的高速写入能力。设备
包含一个只读设备ID，允许主机
确定制造商、产品密度和产品
修订设备规格保证超过
工业温度范围-40?C至+85?C
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
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