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NSBA123JDXV6

2022-7-16 11:49:00
  • ON 三极管 NSBA123JDXV6T5G 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP

品牌

ON

封装

SOT-563

制造商

ON Semiconductor

产品种类

双极晶体管 - 预偏置

RoHS

配置

Dual

晶体管极性

PNP

典型输入电阻器

2.2 kOhms

典型电阻器比率

0.047

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SOT-563-6

直流集电极/Base Gain hfe Min

80

集电极连续电流

- 0.1 A

峰值直流集电极电流

100 mA

Pd-功率耗散

357 mW

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

系列

NSBA123JDXV6

直流电流增益 hFE 最大值

80

高度

0.55 mm

长度

1.6 mm

宽度

1.2 mm

商标

ON Semiconductor

产品类型

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量

8000

子类别

Transistors

单位重量

3 mg

可售卖地

全国

型号

NSBA123JDXV6T5G

其它产品还有:

SI1906DV-T1

SI2301BDS

SI2302DS-T1-E3

SI2303CDS

SI2304DDS/RCR1557SJ

SI2305

SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-GE3

SI2306CDS-T1-E3

SI2306CDS-T1-GE3

SI2306DS-T1-E3

SI2306DS-T1-GE3

SI2308DS-T1-E3

SI2309/RCR2P06SJ

SI2309DS

SI2309DS-T1-E3

SI2314DS-T1-E3

SI2314DS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-GE3

SI2316DS-T1-E3

SI2318DS-TI-E3

SI2319DS-TI-E3

SI2320DS-T1-E3

SI2320DS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-E3

SI2323CDS-T1-GE3

SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-GE3

SI2328DS

SI2328DS-T1-E3/D8YDA

SI2337DS-T1-E3

SI2338DS/RCR1557SJ

SI2338DS-T1-E3

SI2356

SI2366DS/RCR1557SJ

SI2367DS-T1-E3

SI2367DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

SI2377

SI3433DV-T1-E3

SI3442CDV-T1-GE3

SI3455DV-T1

SI3456DV-T1

SI3460DV-T1

SI3483DV-T1-E3

SI3586DS-TI-E3

SI3590DV-T1

SI3850DV-T1

SI3851DV-T1