商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)60V
集电极电流(Ic)600mA
功率(Pd)225mW
集电极截止电流(Icbo)20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1.6V@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@150mA,10V
特征频率(fT)200MHz
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值：300mW
频率 - 跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
