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TBP38S85-35MJT产品参数描述

2023-5-6 14:02:00
  • TBP38S85-35MJT

参数名称 属性值

是否无铅 含铅

是否Rohs认证 不符合

Objectid 1125521569

包装说明 DIP, DIP24,.3

Reach Compliance Code not_compliant

ECCN代码 EAR99

最长访问时间 35 ns

JESD-30 代码 R-XDIP-T24

内存密度 8192 bit

内存集成电路类型 OTP ROM

内存宽度 8

端子数量 24

字数 1024 words

字数代码 1000

最高工作温度 125 °C

最低工作温度 -55 °C

组织 1KX8

封装主体材料 CERAMIC

封装代码 DIP

封装等效代码 DIP24,.3

封装形状 RECTANGULAR

封装形式 IN-LINE

峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED

电源 5 V

认证状态 Not Qualified

最大压摆率 0.16 mA

标称供电电压 (Vsup) 5 V

表面贴装 NO

技术 TTL

温度等级 MILITARY

端子形式 THROUGH-HOLE

端子节距 2.54 mm

端子位置 DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED