TAJE157K016RNJ_TAJE157K016RNJ导读
上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。
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在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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