IPD90N04S4-03

2022-5-7 9:59:00
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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 66 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 15 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

系列: OptiMOS-T2

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: SP000671630 IPD9N4S43XT IPD90N04S403ATMA1

单位重量: 330 mg

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