TAJB226M006RNJ_TAJB226M006RNJ导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
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TAJD107M006RNJ
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
TAJA104K035RNJ TAJA104K050RNJ TAJA104M035RNJ TAJA104M050RNJ TAJA105K016RNJ TAJA105K020RNJ TAJA105K025RNJ TAJA105K035RNJ TAJA105K050RNJ 。
TAJA154M050RNJ TAJA155K010RNJ TAJA155K016RNJ TAJA155K020RNJ TAJA155K025RNJ TAJA155K035RNJ TAJA155M010RNJ TAJA155M016RNJ TAJA155M020RNJ TAJA155M025RNJ 。
TAJB226M006RNJ_TAJB226M006RNJ
TAJE157K010RNJ
040251K1%_040251R5%_040268K1%_04028.2K5%_0402E4872BITS 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
TAJB226M006RNJ_TAJB226M006RNJ
至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
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