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原装、散新、翻新芯片?的区别?
集成电路芯片是电子产品组成中重要的一部分，在电子设备系统中电源管理ic担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片,主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出，在销售集成电路芯片的时候我们总会遇到一些客户问我们一些关于集成电路IC原装、散新和翻新之间的区别分,下面银联宝电子为大家简单的讲解一下。
1 、原装货：是指原厂生产出来的，分进口原装和国产原装。
2 、散新货：散新这个词，主要用在IC芯片的方面，意思主要有以下几种：
一、这个货不是原厂生产出来的，可能是其他厂家生产的，但是打着原厂牌子，也就是贴牌假货，供应商称之为散新、或原装货来蒙人。
二、货是原厂生产的，因为是一些不合格的料造成产品达不到标准，但功能还是可以的，这时候原厂就会降价，通过其他渠道处理掉。销售商进过来之后，称之为散新。
三、原厂生产的，使用过了，经过打磨，镀锡，把脚擦凉一系列处理之后，外观看起来不错，拿出来出售，也叫做散新，但实际上是翻新的。
3 、翻新货:指产品从原厂生产出来以后，经过使用，有了一定的磨损，性能各方面跟原厂刚生产出来的时候有差距，经过特殊的加工，是它的外表或者性能恢复到接近原厂刚生产出来的状态，叫做翻新。
4、旧货拆机件:原厂生产出来的，已经使用过的，从电路板上拆下来的。没有经过洗角处理的。
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MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
一、结型场效应管（JFET）
1.结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
二、绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
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