制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 68 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V， + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.4 V
Qg-栅极电荷: 151 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 352 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 34 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
