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深圳毅创辉电子供应 IPD70N03S4L-04

2025-8-5 15:08:00
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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 70 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 48 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 68 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 5 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

系列: OptiMOS-T2

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: IPD7N3S4L4XT SP000274986 IPD70N03S4L04ATMA1

单位重量: 330 mg