制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
Pd-功率耗散: 80 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGB6NC60HDT4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 12 A
集电极最大连续电流 Ic: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
宽度: 9.35 mm
单位重量: 2.240 g
