GD32F103CBT6

功能说明：GD32F103CBT6

3.1。 Arm?Cortex?-M3内核

Cortex?-M3处理器是用于嵌入式系统的最新一代Arm?处理器。

开发它是为了提供满足MCU需求的低成本平台

实施，同时减少了引脚数并降低了功耗

出色的计算性能和对中断的高级系统响应。

?32位Arm?Cortex?-M3处理器内核

?最高108 MHz的工作频率

?单周期乘法和硬件除法器

?集成嵌套向量中断控制器（NVIC）

?24位SysTick计时器

Cortex?-M3处理器基于ARMv7架构，同时支持Thumb

和Thumb-2指令集。以下列出的一些系统外围设备也由

Cortex?-M3：GD32F103CBT6

?与I代码总线，D代码总线，系统总线，专用总线连接的内部总线矩阵

外围总线（PPB）和调试访问。

?嵌套向量中断控制器（NVIC）。

?闪存修补程序和断点（FPB）。

?数据观察点和跟踪（DWT）。

?仪器跟踪宏单元（ITM）。

?嵌入式跟踪宏单元（ETM）。

?串行线JTAG调试端口（SWJ-DP）。

?跟踪端口接口单元（TPIU）。

?内存保护单元（MPU）。

3.2。片上存储器

?高达3072 KB的闪存

?高达96 KB的SRAM

Arm?Cortex?-M3处理器采用哈佛架构，可以单独使用

总线以获取指令并加载/存储数据。 3072 KB的内部Flash和96 KB的内部Flash

内部SRAM最多可用于存储程序和数据，都可以在CPU上进行访问（R / W）

等待状态为零的时钟速度。表2-4。GD32F103CBT6的内存映射显示

GD32F103CBT6系列设备的内存映射，包括代码，SRAM，外设和

其他预定义区域。

3.3。时钟，重置和电源管理

?内部8 MHz工厂调整的RC和外部4至16 MHz晶体振荡器

?内部40 KHz RC校准振荡器和外部32.768 KHz晶体振荡器

?集成系统时钟PLL

?2.6至3.6 V应用电源和I / O

?电源监控器：POR（上电复位），PDR（掉电复位）和低电压

探测器（LVD）

时钟控制单元提供一系列频率和时钟功能。这些包括

内部8M RC振荡器（IRC8M），高速晶体振荡器（HXTAL），低速

内部40K RC振荡器（IRC40K），低速晶体振荡器（LXTAL），锁相

环路（PLL），HXTAL时钟监视器，时钟预分频器，时钟多路复用器和时钟门控

电路。 AHB，APB2和APB1域的频率可以分别配置

预分频器。 AHB，APB2和APB1域的最大频率为108 MHz / 108

MHz / 54 MHz。参见图2-8。有关详细信息，请参见GD32F103CBT6时钟树。

GD32F103CBT6复位控制包括三种复位控制：电源复位，系统复位

重置和备份域重置。系统重置将重置处理器核心和外围设备

IP组件（SW-DP控制器和备份域除外）。上电复位

（POR）和掉电复位（PDR）始终处于活动状态，并确保启动正确的操作

从2.6V /下降至2.6V。当VDD低于指定电压时，器件保持复位模式

临界点。嵌入式低压检测器（LVD）监控电源，比较

它达到电压阈值并生成中断，作为警告消息，以引导

MCU变成安全。

电源方案：GD32F103CBT6

?VDD范围：2.6至3.6 V，用于I / O的外部电源和内部稳压器。

通过VDD引脚从外部提供。

?VSSA，VDDA范围：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模拟电源，复位模块，

RC和PLL。 VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。

?VBAT范围：1.8至3.6 V，RTC电源，外部时钟32 KHz振荡器和

当VDD不存在时（通过电源开关）备份寄存器。

3.4。开机模式

在启动时，启动引脚用于选择以下三个启动选项之一：

?从主闪存启动（默认）

?从系统内存启动

?从片上SRAM引导

引导加载程序位于内部引导ROM内存（系统内存）中。它用来如果设备是USB，请使用USART0（PA9和PA10）对闪存进行重新编程。GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于启动功能。它也可以用于传输和更新闪存代码，数据和向量表部分。默认情况下，选择从闪存的存储区0引导。它还支持启动通过在选项字节中设置一个位来从闪存的存储体1中进行选择