制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
系列: IRFP
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 13 S
下降时间: 58 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 59 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g
