?64K x 16低压，超低功耗CMOS静态RAM静态随机存储器IS62WV6416DBLL-45TLI
静态随机存储器IS62WV6416DBLL-45TLI 特点?高速访问时间:35ns、45ns 55ns?cmos低功耗操作:15兆瓦(典型的)操作1.5μw(典型的)cmos备用?ttl兼容的接口水平?单电源低vdd 1.65v——2.2 v (62 wv6416dall) 2.3v——3.6 v低vdd (65 wv6416dbll)?完全静态操作:不需要时钟或刷新?静态随机存储器IS62WV6416DBLL-45TLI 三状态输出?数据控制上下字节?工业和汽车温度支持?2cs选择?无铅可用
静态随机存储器IS62WV6416DBLL-45TLI / 65wv6416dall和is62 / 65wv6416dbll是高速、静态随机存储器IS62WV6416DBLL-45TLI 1m位静态ram，由16位组成64k字。它是使用issi的高性能cmos技术制造的。这一高度可靠的过程加上创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗的设备。当cs1高(反选)或cs2低(反选)或cs1低、cs2高、lb和ub高时，设备采用待机模式，在待机模式下，随着cmos输入电平的降低，功耗降低。简单的内存扩展是通过使用芯片启用和输出启用输入提供的。active low write enable (WE)控制内存的写入和读取。数据字节允许上字节(UB)和下字节(LB)访问。is62 / 65wv6416dall和is62 / 65wv6416dbll被封装在jedec标准48针迷你bga (6mm x 8mm)和44针tsop (type ii)中。(1)符号参数值单位Vterm端电压相对gnd - 0.5 ~ Vdd + 0.5 v Vdd Vdd与gnd - 0.3 ~ 4.0 v tstg存储温度- 65 ~ +150℃Pt功耗1.0 w有关?交流测试条件参数单元单元单元(2.3 V - 3.6 V) (3.3 V + 5%) (1.65 V - 2.2 V)输入脉冲级0.4v vdd——0.3v 0.4v vdd——0.3v 0.4v vdd——0.3v输入次兴衰1v / ns 1v / ns 1v / ns输入和输出时机vdd / 2 vdd + 0.05 0.9v和参考水平(VRef) 2输出负载见图1和图2见图1和图2见图1和图2 r1(?)317 317 13500 r2(?)351 351 10800 V tm (V) 3.3V 3.3V 1.8v?
