品牌
仙童
型号 FDMC6676BZ 封装 DFN-8 3.3*3.3
批号 新年份 漏源电压（Vdss） -30 V 漏极电流(Id) -20A
漏源导通电阻(RDS On) 14.4 mΩ 导电方式 增强型 沟道类型 P沟道
产品型号:
FDMC6676PZ FDMC6676BZ
P-Channel Power Trench? MOSFET
-30 V， -20 A， 14.4 mΩ
品牌：FAIRCHILD/仙童
封装:DFN-8 3.3*3.3
极性：P沟道
特征
最大RDS（ON）=在VGS=-10 V14.4毫欧，ID =-9.5一
最大RDS（ON）=在VGS27.0毫欧=-4.5 V，ID=-6.9一
8千伏典型的 HBM ESD保护水平（注3）
扩展VGSS范围（-25 V）电池供电的应用
高性能沟道技术极低的RDS（on）
高功率和电流处理能力
终止是无铅和RoHS标准
应用
在笔记本电脑和服务器 负荷开关
笔记本电池电源管理
