详细参数
类别 FET - 单
描述 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
制造商 Diodes Inc
FET型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点 逻辑电平门
漏极至源极电压（Vdss） 20V
电流_连续漏极（Id）0a025000C 630mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C 400 毫欧 @ 600mA，4.5V
Id时的Vgs（th）111最大222 1V @ 250μA
闸电荷（Qg）0a0Vgs 0.74nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）0a0Vds 60.67pF @ 16V
功率_最大 280mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-523
包装 剪切带 (CT)
