SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 12V 5.1A 3-Pin SOT-23

SI2333CDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 12V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 7.1A

Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 5.1A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 25nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 1225pF @ 6V

功率 - 最大 2.5W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 12 V

最大连续漏极电流 5.1 A

RDS -于 35@4.5V mOhm

最大门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 13 ns

典型上升时间 35 ns

典型关闭延迟时间 45 ns

典型下降时间 12 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1250

最大漏源电压 12

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 35@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 5.1

封装 Tape and_Reel

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 1.25W

匹配代码 SI2333CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 P-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 4.5A

V（ DS ） 12V

R（ DS上） 0.036Ohm

FET特点 Standard

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 7.1A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA

漏极至源极电压（Vdss） 12V

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 35 mOhm @ 5.1A， 4.5V

FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 2.5W

输入电容（Ciss ） @ VDS 1225pF @ 6V

闸电荷（Qg ） @ VGS 25nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2333CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.035 Ω

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 1.25 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 15 nC V @ 4.5， 9 nC V @ 2.5

典型输入电容@ VDS 1225 pF V @ 6

宽度 1.4mm

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 P-Channel

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 5.1 A

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 35 mOhms

功率耗散 1.25 W

封装/外壳 SOT-23-3

零件号别名 SI2333CDS-GE3

上升时间 35 ns

漏源击穿电压 12 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 35 ns

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?8 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.035 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 12 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

删除 Compliant

Continuous Drain Current Id :-7.1A

Drain Source Voltage Vds :-12V

On Resistance Rds(on) :28.5mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V

Threshold Voltage Vgs :-400mV

功耗 :2.5W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :-7.1A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Voltage Vgs Max :8V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

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美国人真的是喜欢打官司，而官司拖得时间长也是司空见惯了，这不一个集体诉讼始于2013年，针对的是iPhone 4 ，4s ，5 的电源键问题的。这个集体诉讼要在2019年10月25日圣地亚哥开庭了。这个集体诉讼主要针对4 ，4s ，5机器的电源键与静音按键设计问题与保修问题展开的。

　　虽然苹果在2014年4月已经开始了iPhone 5 的质量计划，但是并没有影响集体诉讼的进程。

　　当年也关注了这个集体诉讼，而且最近两天也收到了相关的邮件。不知道会不会出现，手机都找不到了最后还能赔钱的事儿出现。