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BC848B数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: N
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 300 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 200 at 2 mA， 5 V
高度: 0.97 mm
长度: 2.9 mm
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 310 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
