STT818B ST Trans GP BJT PNP 30V 3A 6-Pin SOT-23
STT818B产品详细规格
标准包装 3，000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 30V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 500mV @ 20mA， 2A
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 100 @ 500mA， 1V
功率 - 最大 1.2W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6
供应商器件封装 SOT-23-6L
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-23
类型 PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 3 A
最小直流电流增益 100@500mA@1V|100@2.5A@3V
最大集电极发射极饱和电压 0.15@5mA@0.5A|0.25@20mA@1.2A|0.5@20mA@2A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1200 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 3
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -65
最大功率耗散 1200
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and_Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 30
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.2W
匹配代码 STT818B
I（C ） 3A
V（ CEO ） 30V
单位包 3000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 3000
极化 PNP
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 100
V（ CBO ） 30V
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 3A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 500mV @ 20mA， 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 30V
供应商设备封装 SOT-23-6L
功率 - 最大 1.2W
封装/外壳 SOT-23-6
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 100 @ 500mA， 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 497-6589-1
类别 Bipolar Power
配置 Single Quad Collector
外形尺寸 1.3 x 3.05 x 1.75mm
身高 1.3mm
长度 3.05mm
最大的基射极饱和电压 1.2 V
最大集电极基极电压 30 V
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 SOT-23
宽度 1.75mm
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.21 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 30 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 3 A
集电极电流（ DC）（最大值） 3 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 1.2 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益（最小值） 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 100
集电极电流（DC ） 3 A
