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IRLML2502TRPBF场效应管FET-MOSFET-N沟道高端芯片热卖产品

2020-11-9 10:32:00
  • IRLML2502TRPBF 场效应管FET-MOSFET-N沟道高端芯片热卖产品

TI德州 IRLML2502TRPBF 场效应管FET-MOSFET-N沟道 20V 4.2A SOT-23 1.25W 大量库存原装现货

IRLML2502TRPBF产品详细规格

文档 IRLML2502TR Saber Model

IRLML2502TR Spice Model

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS) 20V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.2A

Rds(最大)@ ID,VGS 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 12nC @ 5V

输入电容(Ciss)@ Vds的 740pF @ 15V

功率 - 最大 1.25W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 Micro3?/SOT-23

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3Micro

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 4.2 A

RDS -于 45@4.5V mOhm

最大门源电压 ±12 V

典型导通延迟时间 7.5 ns

典型上升时间 10 ns

典型关闭延迟时间 54 ns

典型下降时间 26 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Cut Tape

标准包装 Tape & Reel

FET特点 Logic Level Gate

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4.2A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 250μA

漏极至源极电压(Vdss) 20V

供应商设备封装 Micro3?/SOT-23

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 1.25W

输入电容(Ciss ) @ VDS 740pF @ 15V

其他名称 IRLML2502PBFTR

闸电荷(Qg ) @ VGS 12nC @ 5V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

漏极电流(最大值) 4.2 A

频率(最大) Not Required MHz

栅源电压(最大值) ?12 V

输出功率(最大) Not Required W

功率耗散 1.25 W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.045 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 Micro

引脚数 3

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

连续漏极电流 4.2 A

删除 Compliant

晶体管极性 :N Channel

Continuous Drain Current Id :4.2A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :0.035ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V

Threshold Voltage Vgs :1.2V

Weight (kg) 0

Tariff No. 85412900

associated IRLML2502PBF631954

香港鑫锐保证原装进口现货

鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌),一站式终端厂家配套:(质量保证诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

QQ:3373563833

地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B

公司网址:www.xrdz-hk.com

公司部分现货:

TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等

更多型号请来电咨询:

鑫锐电子(香港)是一家专业从事集成电路配套的供应商,在本行拥有多年的销售经验!

备有大量现货库存,诚信为本,客户至上,为客户把产品的质量关!

由于公司型号众多,无法一一上传,如在网站找不到您要的产品,请联系业务员,本司可提供电子元器件配单服务。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

QQ:3373563833

地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B

公司网址:www.xrdz-hk.com

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英国电信运营商们表示,如果撕毁与华为的协议将导致5G网络推迟9-12个月推出,所以尽管面临压力他们还是会继续与华为合作。

  O2向《金融时报》证实,它将继续在英国伦敦的200个站点部署华为5G设备。

  尽管所有英国电信公司都致力于采取多供应商的策略,但华为的设备被所有主流运营商用于他们的无线接入网中。

  此前英国电信虽表示不会在核心网中使用华为套件,但仍在其5G接入网中使用华为设备,而3家对手公司更是选择华为为其5G战略供应商。在测试过程中,告诉英国当地媒体华为拥有最令人印象深刻的技术,并寄希望于Massive MIMO和64T64R所带来的3-5倍网络容量提升,在这两项技术中华为均创下了一些第一。

  周二,华为轮值董事长胡厚崑在东莞的园区接受外国媒体采访时表示,华为已经发货了1万多个5G基站。在考虑升级之前,移动运营商希望在12-18个月内测试这些设备。他补充说,华为已经获得了25份5G商业合同。

  “对于5G技术的一些安全关注非常合理,但能够通过与运营商和政府的合作来澄清或减轻。”他表示,华为一直保持着良好的网络安全记录,30年来没有发生过没有发生过严重的网络事故、没有网络安全隐患、没有任何证据证明华为在做有损于任何国家安全的事情。

  英国政府目前正在对整个行业进行审查,作为其《未来电信基础设施评估(FTIR)》的一部分,或将影响供应链。