标准包装 1
包装 剪切带（CT）
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 50A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 12毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.2V@20μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 40nC@10V
Vgs（最大值） ±16V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 2890pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作温度 -55°C~175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
深圳市顺德利科技有限公司0755-8272566017727837185（微信75056055）QQ：782954141
