制造商:Infineon
产品种类:IGBT模块
RoHS:N
产品:IGBTSiliconModules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压VCEO:600V
集电极—射极饱和电压:1.95V
在25C的连续集电极电流:20A
栅极—射极漏泄电流:300nA
Pd-功率耗散:80W
封装/箱体:EconoPIM2
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+125C
封装:Tray
高度:17mm
长度:107.5mm
宽度:45mm
商标:InfineonTechnologies
安装风格:ScrewMount
栅极/发射极最大电压:+/-20V
产品类型:IGBTModules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
