制造商:ONSemiconductor
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-3P-3
安装风格:ThroughHole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:600V
集电极—射极饱和电压:2.1V
栅极/发射极最大电压:+/-20V
在25C的连续集电极电流:40A
Pd-功率耗散:160W
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
系列:SGH40N60UFD
集电极最大连续电流Ic:40A
高度:18.9mm
长度:15.8mm
宽度:5mm
商标:ONSemiconductor/Fairchild
集电极连续电流:40A
栅极—射极漏泄电流:+/-100nA
产品类型:IGBTTransistors
工厂包装数量:450
子类别:IGBTs
零件号别名:SGH40N60UFDTU_NL
单位重量:6.401g
