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MOSFET管SI2301CDS-T1-GE3 贴片SOT23 P通道

2025-8-14 16:01:00
  • 分立式半导体 MOSFET 场效应管 贴片SOT23-3 P通道 20V 3.1A 功率860 mW

型号: SI2301CDS-T1-GE3

品牌:Vishay Semiconductors

产品种类:MOSFET

最大工作温度:+ 150 C

漏极连续电流:2.3 A

导通电阻:112 mOhms

供应商标准封装:SOT-23

封装类型:Reel/卷盘

晶体管类型:P通道

汲极/源极击穿电压:20 V

闸/源击穿电压:+/- 8 V

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:30 ns

产品其它名称:SI2301CDS-GE3

下降时间:35 ns

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:860 mW

上升时间:35 ns

安装风格:SMD/SMT/贴片

价格: 面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOSFET SI2301CDS-T1-GE3

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