DTC143TE数据表
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
配置: Single
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 150 mW
最大工作温度: + 150 C
系列: DTC143TE
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
直流电流增益 hFE 最大值: 600
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
高度: 0.7 mm
长度: 1.6 mm
宽度: 0.8 mm
商标: ROHM Semiconductor
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: DTC143TE
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